6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。
韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正常化的 NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對(duì)比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)行。
報(bào)道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的。
▲ 三星電子 1bnm 32Gb DDR5 內(nèi)存，屬于通用 DRAM
全球科技企業(yè)近來(lái)強(qiáng)化對(duì)人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)，向傳統(tǒng)服務(wù)器分配的投資額度相應(yīng)出現(xiàn)大幅減少。而傳統(tǒng)服務(wù)器正是通用 DRAM 訂單的主要來(lái)源。
同時(shí)近年來(lái)各大巨頭服務(wù)器更新周期延長(zhǎng)，對(duì)先進(jìn)通用 DRAM 的購(gòu)買量也因此下滑。
而在消費(fèi)端部分，智能手機(jī)和 PC 的出貨量回升出現(xiàn)停滯，有研究機(jī)構(gòu)認(rèn)為全年漲幅僅會(huì)達(dá) 2~3%。
此前有業(yè)界聲音指出，HBM 內(nèi)存的增產(chǎn)會(huì)擠壓到通用 DRAM 的投片量，進(jìn)而在下半年造成通用 DRAM 供應(yīng)緊張。
但有消息人士認(rèn)為，根據(jù)目前態(tài)勢(shì)，這種情況很難出現(xiàn)：
今年前六個(gè)月韓系通用 DRAM 產(chǎn)線開(kāi)工率僅提升了 10%，現(xiàn)有水平上仍有提升空間；同時(shí) DRAM 測(cè)試企業(yè)收獲的訂單量也沒(méi)有出現(xiàn)顯著擴(kuò)大。